產(chǎn)品簡介
Qorvo 的 UF3C065030B3 650 V、27 mohm SiC FET 產(chǎn)品將其高性能第 3 代 SiC JFET 與 FET 優(yōu)化 MOSFET 共同封裝，以生產(chǎn)當今市場上唯一的標準柵極驅(qū)動 SiC 器件。該系列不僅具有超低柵極電荷，而且具有同類額定值器件中最好的反向恢復(fù)特性。這些器件采用 D2PAK-3L 封裝，與推薦的 RC 緩沖器一起使用時非常適合開關(guān)電感負載，以及任何需要標準柵極驅(qū)動的應(yīng)用。
產(chǎn)品規(guī)格
VDS 最大值(V) 650
RDS(on) Typ @ 25C (mohm) 27
內(nèi)徑最大值(A) 65
一代 第 3 代
Tj 最大值(°C) 175
汽車資質(zhì) 是的
包裝類型 D2PAK-3L
主要特征
導(dǎo)通電阻 (RDS(on))：27 mohm（典型值）
最高工作溫度：175 °C
優(yōu)秀的反向恢復(fù)
低柵極電荷
低本征電容
ESD 保護，HBM 2 級
相關(guān)型號
UF3C065030B3
UF3C065030K3S
UF3C065030K4S
UF3C065030T3S
UF3C065040B3
UF3C065040K3S
UF3C065040K4S
UF3C065040T3S
UF3C065080B3
UF3C065080B7S
UF3C065080K3S
UF3C065080K4S
UF3C065080T3S
UF3C120040K3S
UF3C120040K4S
