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UF3C120150K4S 柵極驅動 SiC 器件

型號: UF3C120150K4S

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • VDS 最大值(V) 1,200
  • RDS(on) 150
  • 內(nèi)徑最大值(A) 18.4
  • 一代 第 3 代
  • Tj 最大值(°C) 175
  • 汽車資質 是的
  • 包裝類型 TO-247-4L

--- 產(chǎn)品詳情 ---

UF3C120150K4S

產(chǎn)品簡介
Qorvo 的 UF3C120150K4S 1200 V、150 mohm SiC FET 產(chǎn)品將其高性能 F3 SiC 快速 JFET 與 FET 優(yōu)化 MOSFET 共同封裝,以生產(chǎn)當今市場上唯一的標準柵極驅動 SiC 器件。該系列使用 4 端子 TO-247 封裝展示了非常快速的開關和任何類似額定值設備的最佳反向恢復特性。這些器件非常適合開關電感負載,以及任何需要標準柵極驅動的應用。

 

產(chǎn)品規(guī)格
VDS 最大值(V) 1,200
RDS(on) Typ @ 25C (mohm) 150
內(nèi)徑最大值(A) 18.4
一代 第 3 代
Tj 最大值(°C) 175
汽車資質 是的
包裝類型 TO-247-4L

 

主要特征
導通電阻 (RDS(on)):150 mohm(典型值)
最高工作溫度:175 °C
優(yōu)秀的反向恢復
低柵極電荷
低本征電容
ESD 保護,HBM 2 級

 

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