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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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ZXGD3101N8 MOSFET 控制器

型號: ZXGD3101N8

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 符合 AEC 標(biāo)準(zhǔn) 是的
  • 合規(guī)性 標(biāo)準(zhǔn)
  • 電源電壓 V CC 5伏
  • 靜態(tài)電源電流 (mA 8毫安
  • 漏極電壓 V D 180伏
  • 操作模式 DCM CrCM CCM
  • 開關(guān)頻率 (kHz) ≤100 kHz
  • 比例柵極驅(qū)動控制 是的
  • 開啟時間 T ON 500 納秒
  • 關(guān)斷閾值電壓 (mV -16毫伏
  • 關(guān)斷延遲時間 TOF 15納秒
  • 柵極源極電流 2.5安
  • 柵極灌電流 2.5安

--- 產(chǎn)品詳情 ---

ZXGD3101N8 

 產(chǎn)品簡介
DIODES 的 ZXGD3101 指在驅(qū)動配置為理想二極管替代品的 MOSFET。這些AC-DC 轉(zhuǎn)換器由差分放大器檢測器級和大電流驅(qū)動器組成。檢測器監(jiān)控 MOSFET 的反向電壓,這樣如果體二極管發(fā)生導(dǎo)通,就會向 MOSFET 的柵極引腳施加正電壓。一旦將正電壓施加到柵極,MOSFET 就會導(dǎo)通,允許反向電流流動。然后,檢測器的輸出電壓與 MOSFET 漏源反向壓降成正比,并通過驅(qū)動器施加到柵極。此操作可在電流衰減時快速關(guān)斷。

 

產(chǎn)品規(guī)格
符合 AEC 標(biāo)準(zhǔn) 是的
合規(guī)性(只有汽車支持 PPAP) 標(biāo)準(zhǔn)
電源電壓 V CC  (V) 5伏
靜態(tài)電源電流 (mA) 8毫安
漏極電壓 V D  (V) 180伏
操作模式 DCM CrCM CCM
開關(guān)頻率 (kHz) ≤100 kHz
比例柵極驅(qū)動控制 (Y|N) 是的
開啟時間 T ON (ns) 500 納秒
關(guān)斷閾值電壓 (mV) -16毫伏
關(guān)斷延遲時間 TOFF (ns) 15納秒
柵極源極電流 I SOURCE (A) 2.5安
柵極灌電流 I SINK (A) 2.5安

 

主要特征
關(guān)斷傳播延遲15ns,關(guān)斷時間20ns。
適用于非連續(xù)模式(DCM),臨界
傳導(dǎo)模式(CrCM)和連續(xù)模式(CCM)活動
符合Energy Star V2.0和歐洲標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行V3
無鹵素部件 5-15V Vcc范圍

 

相關(guān)型號
DRDC3105E6
DRDC3105F
ZXGD3101N8
ZXGD3103N8
ZXGD3104N8
ZXGD3105N8
ZXGD3107N8
ZXGD3113W6
ZXTC4591AMCQ
ZXTC6717MC
ZXTC6717MCQ
ZXTC6718MC
ZXTC6718MCQ
ZXTC6719MC
ZXTC6720MC
ZXTD09N50DE6
ZXTD2090E6
ZXTD4591E6
ZXTD617MC
ZXTD618MC
ZXTD619MC
ZXTD6717E6
ZXTD6717E6Q
ZXTD717MC
ZXTD718MC
ZXTD720MC

 

 

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