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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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DMC25D1UVT 互補(bǔ)對(duì)增強(qiáng)模式 MOSFET 晶體管

型號(hào): DMC25D1UVT

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • DIODES DMC25D1UVT
  • 名稱 互補(bǔ)對(duì)增強(qiáng)模式 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺(tái)灣
  • 封裝 TSOT26

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMC25D1UVT 

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMC25D1UVT  這款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低通態(tài)電阻 (R DS(ON) ),同時(shí)保持卓越的開(kāi)關(guān)性能,使其成為高效電源管理應(yīng)用的理想選擇


產(chǎn)品規(guī)格 
品牌            DIODES
型號(hào)            DMC25D1UVT
名稱            互補(bǔ)對(duì)增強(qiáng)模式 MOSFET
產(chǎn)地            臺(tái)灣
封裝            TSOT26


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N+P
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 25, 12 V
|VGS| (±V) 8, 8 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 0.5, 3.9 A
PD @TA = +25°C (W) 1.3 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 4000, 55 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) , 70 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) , 100 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.65, 0.35 V
|VGS(TH)| Max (V) 1.5, 1.5 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 0.4, 24.5 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 0.9, nC
CISS Typ (pF) 27.6, 9.7 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 10, 6 V


主要特征
低導(dǎo)通電阻
低輸入電容
快速切換速度
低輸入/輸出泄漏
ESD保護(hù)門(mén)

 

相關(guān)型號(hào)
DMC1015UPD
DMC1016UPD
DMC1018UPD
DMC1018UPDWQ
DMC1028UFDB
DMC1028UVT
DMC1029UFDB
DMC1030UFDB
DMC10H172SSD
DMC10H220LSD
DMC1229UFDB
DMC2004DWK
DMC2004LPK
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DMC2025UFDB
DMC2025UFDBQ
DMC2041UFDB
DMC2053UFDB
DMC2053UFDBQ
DMC2053UVT
DMC2053UVTQ
DMC2057UVT
DMC21D1UDA
DMC2400UV
DMC2450UV
DMC25D0UVT
DMC25D1UVT
DMC2700UDM
DMC2710UDW
DMC2710UDWQ

 

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