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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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DMC2990UDJ 互補對增強模式 MOSFET 晶體管

型號: DMC2990UDJ

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMC2990UDJ
  • 名稱 互補對增強模式 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺灣
  • 封裝 SOT963

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMC2990UDJ 

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMC2990UDJ  這款新一代 20V N + P 溝道增強型 MOSFET 旨在最大限度地降低 R DS(on),同時保持卓越的開關(guān)性能。該器件非常適合便攜式、電池組和其他電源管理功能。


產(chǎn)品規(guī)格 
品牌            DIODES
型號            DMC2990UDJ
名稱            互補對增強模式 MOSFET
產(chǎn)地            臺灣
封裝            SOT963


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N+P
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 20, 20 V
|VGS| (±V) 8, 8 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 0.45, 0.31 A
PD @TA = +25°C (W) 0.35 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 990, 1900 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 1200, 2400 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 1800, 3400 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.4, 0.5 V
|VGS(TH)| Max (V) 1, 1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 0.5, 0.4 nC
CISS Typ (pF) 27.6, 28.7 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 15, 15 V


主要特征
低導(dǎo)通電阻
極低柵極閾值電壓,最大1.0V
低輸入電容
快速切換速度
超小型表面安裝封裝1mm x 1mm
低封裝外形,最大封裝高度0.45mm
ESD保護門


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