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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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DMC3730UFL3 互補(bǔ)對(duì)增強(qiáng)模式 MOSFET 晶體管

型號(hào): DMC3730UFL3

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號(hào) DMC3730UFL3
  • 名稱(chēng) 互補(bǔ)對(duì)增強(qiáng)模式 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺(tái)灣
  • 封裝 X2-DFN1310-6

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMC3730UFL3 

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMC3730UFL3 這種MOSFET被設(shè)計(jì)為最小化導(dǎo)通電阻(RDS(ON)),同時(shí)保持卓越的切換性能,使其非常適合高效電源管理應(yīng)用。
電機(jī)控制
電源管理功能


產(chǎn)品規(guī)格 
品牌            DIODES
型號(hào)            DMC3730UFL3
名稱(chēng)            互補(bǔ)對(duì)增強(qiáng)模式 MOSFET
產(chǎn)地            臺(tái)灣
封裝             X2-DFN1310-6


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N+P
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 30, 30 V
|VGS| (±V) 8, 8 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 1.1, 0.7 A
PD @TA = +25°C (W) 0.81 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 460, 1000 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 560, 1500 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 730, 2000 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 0.95, 1.1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 0.9, 0.9 nC
CISS Typ (pF) 65.9, 83 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 25, 30 V


主要特征
占地面積僅為 1.3 mm2
超薄型封裝 – 0.35mm 型材
低柵極閾值電壓
開(kāi)關(guān)速度快
超小型表面貼裝封裝


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