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DMG3413L 溝道增強型 MOSFET 晶體管

型號: DMG3413L

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMG3413L
  • 名稱 P 溝道增強型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺灣
  • 封裝 SOT23

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMG3413L 

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMG3413L 這款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低導通電阻 (R DS(on) ),同時保持卓越的開關(guān)性能,使其成為高效電源管理應用的理想選擇。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌            DIODES
型號            DMG3413L
名稱            P 溝道增強型 MOSFET
產(chǎn)地            臺灣
封裝            SOT23


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity P
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 8 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 3 A
PD @TA = +25°C (W) 1.3 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 95 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 130 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 190 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.6 V
|VGS(TH)| Max (V) 1.3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 9 nC
CISS Typ (pF) 857 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 10 V


主要特征
低導通電阻
低輸入電容
開關(guān)速度快
低輸入/輸出泄漏


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