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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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DMG3414UQ 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號(hào): DMG3414UQ

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號(hào) DMG3414UQ
  • 名稱 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺(tái)灣
  • 封裝 SOT23

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMG3414UQ 

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMG3414UQ 這種MOSFET被設(shè)計(jì)為最小化導(dǎo)通電阻(RDS(ON))同時(shí)保持卓越的切換性能,使其成為理想之選用于高效電源管理應(yīng)用。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌            DIODES
型號(hào)            DMG3414UQ
名稱            N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地            臺(tái)灣
封裝            SOT23


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Automotive
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 8 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 4.2 A
PD @TA = +25°C (W) 0.78 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 25 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 29 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 37 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.5 V
|VGS(TH)| Max (V) 0.9 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 9.6 nC
CISS Typ (pF) 829.9 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 10 V


主要特征
低導(dǎo)通電阻
低輸入電容
開(kāi)關(guān)速度快
低輸入/輸出泄漏


相關(guān)型號(hào)
DMG301NU
DMG302PU
DMG3401LSN
DMG3401LSNQ
DMG3402L
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