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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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DMG3418L 溝道增強型 MOSFET 晶體管

型號: DMG3418L

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMG3418L
  • 名稱 N 溝道增強型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺灣
  • 封裝 SOT23

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMG3418L 

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMG3418L 這種MOSFET被設(shè)計為使導(dǎo)通狀態(tài)最小化電阻(RDS(ON))同時保持優(yōu)異的開關(guān)性能,使其成為高效電源管理應(yīng)用的理想選擇。


產(chǎn)品規(guī)格 
品牌            DIODES
型號            DMG3418L
名稱            N 溝道增強型 MOSFET
產(chǎn)地            臺灣
封裝            SOT23


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 12 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 4 A
PD @TA = +25°C (W) 1.4 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 60 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 70 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 150 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 1.5 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 5.5 nC
CISS Typ (pF) 464 pF


主要特征
低導(dǎo)通電阻
低輸入電容
快速切換速度


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