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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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DMG5802LFX 溝道增強模式 MOSFET 晶體管

型號: DMG5802LFX

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMG5802LFX
  • 名稱 N溝道MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺灣
  • 封裝 W-DFN5020-6

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMG5802LFX 

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMG5802LFX 這種新一代MOSFET的設(shè)計目的是最大限度地降低現(xiàn)場電阻(RDS(on)),同時保持卓越的開關(guān)性能性能,使其成為高效電源管理的理想選擇應(yīng)用程序。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌            DIODES
型號            DMG5802LFX
名稱            N溝道MOSFET
產(chǎn)地            臺灣
封裝            W-DFN5020-6

 

產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N+N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 25 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 10 A
PD @TA = +25°C (W) 1.42 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 20 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 31 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 5 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 10.5 nC
CISS Typ (pF) 479 pF


主要特征
低導(dǎo)通電阻
低輸入電容
快速切換速度
低輸入/輸出泄漏


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