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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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DMG6302UDW 溝道增強(qiáng)模式 MOSFET 晶體管

型號: DMG6302UDW

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMG6302UDW
  • 名稱 雙 P 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺灣
  • 封裝 SOT363

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMG6302UDW 

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMG6302UDW 這種MOSFET被設(shè)計(jì)為使導(dǎo)通電阻最小化(RDS(ON))同時(shí)保持卓越的切換性能,使其成為理想之選用于高效電源管理應(yīng)用。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌            DIODES
型號            DMG6302UDW
名稱            雙 P 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地            臺灣
封裝            SOT363

 

產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity P+P
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 25 V
|VGS| (±V) 8 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 0.15 A
PD @TA = +25°C (W) 0.38 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 10000 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 13000 (@2.7V) mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.65 V
|VGS(TH)| Max (V) 1.5 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 0.34 nC
CISS Typ (pF) 30.7 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 10 V


主要特征
低導(dǎo)通電阻
低柵極閾值電壓
低輸入電容
開關(guān)速度快
靜電放電保護(hù)


相關(guān)型號
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DMG302PU
DMG3401LSN
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