產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMG6601LVT 這種MOSFET被設(shè)計(jì)為使導(dǎo)通電阻最小化（RDS（ON）），同時(shí)保持卓越的切換性能，使其非常適合高效電源管理應(yīng)用。
產(chǎn)品規(guī)格
品牌 DIODES
型號(hào) DMG6601LVT
名稱 互補(bǔ)對(duì)增強(qiáng)模式 MOSFET
產(chǎn)地 臺(tái)灣
封裝 TSOT26
產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N+P
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 30, 30 V
|VGS| (±V) 12, 12 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 3.8, 2.5 A
PD @TA = +25°C (W) 1.3 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 55, 110 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 65, 142 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 85, 190 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 1.5, 1.2 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 5.4, 6.5 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 12.3, 13.8 nC
CISS Typ (pF) 422, 541 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 15, 15 V
主要特征
互補(bǔ)MOSFET
低導(dǎo)通電阻
低輸入電容
快速切換速
相關(guān)型號(hào)
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