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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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DMN1019UVT 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號(hào): DMN1019UVT

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號(hào) DMN1019UVT
  • 名稱 N溝道MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺(tái)灣
  • 封裝 TSOT26

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMN1019UVT

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMN1019UVT這這種新一代MOSFET的設(shè)計(jì)目的是最大限度地降低現(xiàn)場(chǎng)電阻(RDS(ON)),同時(shí)保持卓越的開關(guān)性能性能,使其成為高效電源管理的理想選擇應(yīng)用程序。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌            DIODES
型號(hào)            DMN1019UVT
名稱            N溝道MOSFET
產(chǎn)地            臺(tái)灣
封裝             TSOT26


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 12 V
|VGS| (±V) 8 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 10.7 A
PD @TA = +25°C (W) 1.73 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 10 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 12 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 14 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 0.8 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 28 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 50.4 (@8V) nC
CISS Typ (pF) 2588 pF


主要特征
低導(dǎo)通電阻
ESD保護(hù)門


相關(guān)型號(hào)
DMN1021UCA4
DMN1025UFDB
DMN1029UFDB
DMN1032UCP4
DMN1045UFR4
DMN1053UCP4
DMN1054UCB4
DMN10H099SFG
DMN10H099SK3
DMN10H100SK3
DMN10H120SE
DMN10H120SFG
DMN10H170SFDE
DMN10H170SFG
DMN10H170SFGQ
DMN10H170SK3
DMN10H170SK3Q
DMN10H170SVT
DMN10H170SVTQ
DMN10H220L
DMN10H220LDV
DMN10H220LE
DMN10H220LFDF
DMN10H220LFVW
DMN10H220LK3
DMN10H220LPDW
DMN10H220LQ
DMN10H220LVT
DMN10H6D2LFDB

 

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