產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMN10H120SFG這種MOSFET被設(shè)計(jì)為最小化導(dǎo)通電阻（RDS（打開(kāi)）），同時(shí)保持卓越的切換性能，使其非常適合高效電源管理應(yīng)用。
產(chǎn)品規(guī)格
品牌 DIODES
型號(hào) DMN10H120SFG
名稱(chēng) 100V N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地 臺(tái)灣
封裝 POWERDI3333-8
產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 100 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 3.8 A
PD @TA = +25°C (W) 2.4 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 110 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 122 (@6V) mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 5.2 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 10.6 nC
CISS Typ (pF) 549 pF
主要特征
低RDS（ON）–確保最大限度地減少狀態(tài)損耗
小尺寸的熱效率封裝可實(shí)現(xiàn)更高的密度最終產(chǎn)品
僅占SO-8板面積的33%較小的最終產(chǎn)品
相關(guān)型號(hào)
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DMN10H120SFG
DMN10H170SFDE
DMN10H170SFG
DMN10H170SFGQ
DMN10H170SK3
DMN10H170SK3Q
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DMN10H170SVTQ
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DMN10H220LDV
DMN10H220LE
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DMN10H220LFVW
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DMN10H220LVT
DMN10H6D2LFDB
