產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMN10H170SFDE這款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低通態(tài)電阻 (RDS(ON))，同時(shí)保持卓越的開(kāi)關(guān)性能，使其成為高效電源管理應(yīng)用的理想選擇。

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌             DIODES
型號(hào)             DMN10H170SFDE
名稱             N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地              臺(tái)灣
封裝              U-DFN2020-6

產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 100 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 2.9 A
PD @TA = +25°C (W) 2 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 160 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 200 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 4.9 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 9.7 nC
CISS Typ (pF) 1167 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 25 V

主要特征
0.6 毫米輪廓 – 薄型應(yīng)用的理想選擇
PCB 占地面積為 4mm2
低導(dǎo)通電阻

相關(guān)型號(hào)
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