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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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DMN10H220LDV 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號: DMN10H220LDV

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMN10H220LDV
  • 名稱 100V 雙 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺灣
  • 封裝 PowerDI®3333-8

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMN10H220LDV 

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMN10H220LDV這種MOSFET被設(shè)計(jì)為最小化導(dǎo)通電阻(RDS(ON))同時(shí)保持卓越的切換性能,使其成為理想之選用于高效電源管理應(yīng)用。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌             DIODES
型號             DMN10H220LDV
名稱             100V 雙 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地              臺灣
封裝              PowerDI?3333-8


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N+N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 100 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TC = +25°C (A) 10.5 A
PD @TA = +25°C (W) 1.8 W
PD @TC = +25°C (W) 40 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 270 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 2.5 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 3.9 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 7.3 nC
CISS Typ (pF) 366 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 50 V


主要特征
生產(chǎn)中 100% 未鉗位感應(yīng)開關(guān) (UIS) 測試
低導(dǎo)通電阻
低輸入電容
開關(guān)速度快
低輸入/輸出泄漏


相關(guān)型號
DMN1021UCA4
DMN1025UFDB
DMN1029UFDB
DMN1032UCP4
DMN1045UFR4
DMN1053UCP4
DMN1054UCB4
DMN10H099SFG
DMN10H099SK3
DMN10H100SK3
DMN10H120SE
DMN10H120SFG
DMN10H170SFDE
DMN10H170SFG
DMN10H170SFGQ
DMN10H170SK3
DMN10H170SK3Q
DMN10H170SVT
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DMN10H220LDV
DMN10H220LE
DMN10H220LFDF
DMN10H220LFVW
DMN10H220LK3
DMN10H220LPDW
DMN10H220LQ
DMN10H220LVT
DMN10H6D2LFDB

 

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