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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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DMN10H220LFDF 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號(hào): DMN10H220LFDF

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號(hào) DMN10H220LFDF
  • 名稱 100V N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺(tái)灣
  • 封裝 U-DFN2020-6

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMN10H220LFDF 

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMN10H220LFDF這款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低通態(tài)電阻 (RDS(ON)),同時(shí)保持卓越的開(kāi)關(guān)性能,使其成為高效電源管理應(yīng)用的理想選擇。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌             DIODES
型號(hào)             DMN10H220LFDF
名稱             100V N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地              臺(tái)灣
封裝               U-DFN2020-6


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 100 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 2.2 A
PD @TA = +25°C (W) 1.6 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 225 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 290 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 2.5 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 3.7 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 6.7 nC
CISS Typ (pF) 384 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 25 V


主要特征
生產(chǎn)中 100% 未鉗位感應(yīng)開(kāi)關(guān) (UIS) 測(cè)試
低導(dǎo)通電阻
低輸入電容
開(kāi)關(guān)速度快
低輸入/輸出泄漏


相關(guān)型號(hào)
DMN1021UCA4
DMN1025UFDB
DMN1029UFDB
DMN1032UCP4
DMN1045UFR4
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DMN1054UCB4
DMN10H099SFG
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DMN10H120SFG
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DMN10H220LFDF
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DMN10H220LPDW
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DMN10H6D2LFDB

 

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