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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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DMN10H220LFVW 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號: DMN10H220LFVW

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMN10H220LFVW
  • 名稱 100V N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺灣
  • 封裝 PowerDI®3333-8

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMN10H220LFVW 

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMN10H220LFVW這種MOSFET被設(shè)計為最小化導(dǎo)通電阻(RDS(ON))同時保持卓越的切換性能,使其成為理想之選用于高效電源管理應(yīng)用。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌              DIODES
型號              DMN10H220LFVW
名稱              100V N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地               臺灣
封裝               PowerDI?3333-8


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 100 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TC = +25°C (A) 11 A
PD @TA = +25°C (W) 2.4 W
PD @TC = +25°C (W) 41 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 222 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 270 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 2.5 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 4.1 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 7.4 nC
CISS Typ (pF) 366 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 50 V


主要特征
生產(chǎn)中 100% 未鉗位感應(yīng)開關(guān) (UIS) 測試
低導(dǎo)通電阻
低輸入電容
開關(guān)速度快
低輸入/輸出泄漏
用于改進(jìn)光學(xué)檢測的可潤濕側(cè)面


相關(guān)型號
DMN1021UCA4
DMN1025UFDB
DMN1029UFDB
DMN1032UCP4
DMN1045UFR4
DMN1053UCP4
DMN1054UCB4
DMN10H099SFG
DMN10H099SK3
DMN10H100SK3
DMN10H120SE
DMN10H120SFG
DMN10H170SFDE
DMN10H170SFG
DMN10H170SFGQ
DMN10H170SK3
DMN10H170SK3Q
DMN10H170SVT
DMN10H170SVTQ
DMN10H220L
DMN10H220LDV
DMN10H220LE
DMN10H220LFDF
DMN10H220LFVW
DMN10H220LK3
DMN10H220LPDW
DMN10H220LQ
DMN10H220LVT
DMN10H6D2LFDB

 

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