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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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DMN10H220LK3 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號(hào): DMN10H220LK3

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號(hào) DMN10H220LK3
  • 名稱 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺(tái)灣
  • 封裝 TO252

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMN10H220LK3 

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMN10H220LK3這種MOSFET被設(shè)計(jì)為最小化導(dǎo)通電阻(RDS(ON)),同時(shí)保持卓越的切換性能,使其非常適合高效電源管理應(yīng)用。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌              DIODES
型號(hào)              DMN10H220LK3
名稱              N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地               臺(tái)灣
封裝               TO252


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 100 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TC = +25°C (A) 7.5 A
PD @TC = +25°C (W) 18.7 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 220 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 250 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 2.5 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 3.7 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 6.7 nC
CISS Typ (pF) 384 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 25 V


主要特征
低導(dǎo)通電阻
低輸入電容
開(kāi)關(guān)速度快
低輸入/輸出泄漏


相關(guān)型號(hào)
DMN1021UCA4
DMN1025UFDB
DMN1029UFDB
DMN1032UCP4
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