產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMN10H220LPDW這種MOSFET被設(shè)計(jì)為最小化導(dǎo)通電阻（RDS（ON）），同時(shí)保持卓越的切換性能，使其非常適合高效電源管理應(yīng)用。
負(fù)載開關(guān)

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌              DIODES
型號(hào)              DMN10H220LPDW
名稱              N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地               臺(tái)灣
封裝              PowerDI5060-8

產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N+N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 100 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TC = +25°C (A) 8 A
PD @TA = +25°C (W) 2.2 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 222 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 270 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 2.5 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 3.7 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 6.7 nC
CISS Typ (pF) 384 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 25 V

主要特征
生產(chǎn)中的100%無(wú)阻尼感應(yīng)開關(guān)（UIS）測(cè)試
低導(dǎo)通電阻
低輸入電容
快速切換速度
低輸入/輸出泄漏
用于改進(jìn)光學(xué)檢查的可潤(rùn)濕側(cè)翼

相關(guān)型號(hào)
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