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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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DMN10H700S 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號(hào): DMN10H700S

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號(hào) DMN10H700S
  • 名稱 100V N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺(tái)灣
  • 封裝 SOT23

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMN10H700S 

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMN10H700S這款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低通態(tài)電阻 (R DS(ON) ),同時(shí)保持卓越的開關(guān)性能,使其成為高效電源管理應(yīng)用的理想選擇。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌              DIODES
型號(hào)              DMN10H700S
名稱              100V N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地               臺(tái)灣
封裝               SOT23


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 100 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 0.7 A
PD @TA = +25°C (W) 0.4 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 700 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 900 (@6V) mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 4 V
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 4.6 nC
CISS Typ (pF) 235 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 50 V


主要特征
低柵極閾值電壓
低輸入電容
開關(guān)速度快
小型表面貼裝封裝
符合 AEC-Q101 高可靠性標(biāo)準(zhǔn)


相關(guān)型號(hào)
DMN10H6D2LFDB
DMN10H700S
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DMN1150UFL3
DMN11M2UCA14
DMN1250UFEL
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