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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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DMN1150UFB 溝道增強型 MOSFET 晶體管

型號: DMN1150UFB

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMN1150UFB
  • 名稱 N溝道MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺灣
  • 封裝 X1-DFN1006-3

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMN1150UFB 

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMN1150UFB這款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低通態(tài)電阻 (R DS(ON) ),同時保持卓越的開關(guān)性能,使其成為高效電源管理應(yīng)用的理想選擇。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌              DIODES
型號              DMN1150UFB
名稱              N溝道MOSFET
產(chǎn)地               臺灣
封裝               X1-DFN1006-3


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 12 V
|VGS| (±V) 6 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 1.4 A
PD @TA = +25°C (W) 0.5 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 150 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 185 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 210 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.35 V
|VGS(TH)| Max (V) 1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 1.5 nC
CISS Typ (pF) 110 pF


主要特征
低導(dǎo)通電阻
極低柵極閾值電壓VGS(TH),最大1.0V
低輸入電容
切換速度快
ESD保護門


相關(guān)型號
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