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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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DMN1150UFL3 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號: DMN1150UFL3

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMN1150UFL3
  • 名稱 雙 N 溝道增強(qiáng)模式 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺灣
  • 封裝 X2-DFN1310-6 (Type B)

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMN1150UFL3 

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMN1150UFL3 這種MOSFET被設(shè)計(jì)為最小化導(dǎo)通電阻(RDS(ON)),同時(shí)保持卓越的切換性能,使其非常適合高效電源管理應(yīng)用。
電機(jī)控制
電源管理功能
背光

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌               DIODES
型號               DMN1150UFL3
名稱               雙 N 溝道增強(qiáng)模式 MOSFET
產(chǎn)地               臺灣
封裝               X2-DFN1310-6 (Type B)


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N+N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 12 V
|VGS| (±V) 6 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 2 A
PD @TA = +25°C (W) 0.9 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 150 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 185 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 210 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.35 V
|VGS(TH)| Max (V) 1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 1.4 nC
CISS Typ (pF) 115 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 6 V


主要特征
占地面積僅為 1.3 毫米2
超薄型封裝 - 0.35mm 輪廓
低柵極閾值電壓
開關(guān)速度快
超小型表面貼裝封裝
ESD保護(hù)柵極


相關(guān)型號
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DMN10H700S
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DMN1150UFL3
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