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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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DMN1250UFEL 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號(hào): DMN1250UFEL

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號(hào) DMN1250UFEL
  • 名稱(chēng) N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺(tái)灣
  • 封裝 U-QFN1515-12

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMN1250UFEL 

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的DMN1250UFEL 這款新一代 Mix-MOSFET 旨在最大限度地降低通態(tài)電阻 (R DS(ON) ),同時(shí)保持卓越的開(kāi)關(guān)性能,使其成為高效電源管理應(yīng)用的理想選擇。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌               DIODES
型號(hào)               DMN1250UFEL
名稱(chēng)               N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地               臺(tái)灣
封裝                U-QFN1515-12


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity 8N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 12 V
|VGS| (±V) 8 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 2 A
PD @TA = +25°C (W) 1.25 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 450 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 550 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 1.3 nC
CISS Typ (pF) 146 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 6 V


主要特征
低柵極電荷
R DS(ON):350mΩ @ VGS = 4.5V(單 MOSFET)
1 個(gè)器件中包含 8 個(gè) N 溝道 MOSFET
共同來(lái)源小尺寸 1.5mm × 1.5mm


相關(guān)型號(hào)
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DMN10H700S
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