產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的DMN2005UFG 這種MOSFET被設(shè)計(jì)為最小化導(dǎo)通電阻（RDS（ON）），同時(shí)保持卓越的切換性能，使其非常適合高效電源管理應(yīng)用。
產(chǎn)品規(guī)格
品牌 DIODES
型號(hào) DMN2005UFG
名稱(chēng) N溝道MOSFET
產(chǎn)地 臺(tái)灣
封裝 PowerDI3333-8
產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 12 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 18 A
|IDS| @TC = +25°C (A) 50 A
PD @TA = +25°C (W) 2.27 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 4.6 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 8.7 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.4 V
|VGS(TH)| Max (V) 1.2 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 68.8 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 164 nC
CISS Typ (pF) 6495 pF
主要特征
低RDS（ON）–確保最大限度地減少狀態(tài)損耗
小尺寸的熱效率封裝使密度最終產(chǎn)品
僅占SO-8板面積的33%較小的最終產(chǎn)品
100%UIS和Rg測(cè)試
相關(guān)型號(hào)
DMN2005UFG
DMN2005UFGQ
DMN2005UPS
DMN2008LFU
DMN2009LSS
DMN2009UCA4
DMN2009UFDF
DMN2009USS
DMN2011UFDE
DMN2011UFDF
DMN2011UFX
DMN2011UTS
DMN2012UCA6
DMN2013UFDE
DMN2013UFDEQ
DMN2013UFX
DMN2014LHAB
DMN2015UFDE
DMN2015UFDF
DMN2016LFG
DMN2016LHAB
DMN2016UFX
DMN2016UTS
DMN2019UTS
DMN2020LSN
DMN2020UFCL
DMN2022UFDF
DMN2022UNS
DMN2023UCB4
DMN2024U
