產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的DMN2005UFGQ 這種MOSFET設(shè)計(jì)用于滿足汽車應(yīng)用。它符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)，由PPAP，非常適合用于：
電機(jī)控制
負(fù)載開關(guān)
DC-DC轉(zhuǎn)換器
產(chǎn)品規(guī)格
品牌 DIODES
型號(hào) DMN2005UFGQ
名稱 20V N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地 臺(tái)灣
封裝 PowerDI3333-8
產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Automotive
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 12 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 18 A
PD @TA = +25°C (W) 2.27 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 4.6 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 8.7 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.4 V
|VGS(TH)| Max (V) 1.2 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 68.8 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 164 nC
CISS Typ (pF) 6495 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 10 V
主要特征
低RDS（ON）-確保最大限度地減少狀態(tài)損耗
小尺寸熱效封裝實(shí)現(xiàn)更高密度最終產(chǎn)品
占SO-8啟用占用的板面積的33%較小的最終產(chǎn)品
100%無阻尼感應(yīng)開關(guān)，在生產(chǎn)中測(cè)試-確保更加可靠和穩(wěn)健的最終應(yīng)用程序
相關(guān)型號(hào)
DMN2005UFG
DMN2005UFGQ
DMN2005UPS
DMN2008LFU
DMN2009LSS
DMN2009UCA4
DMN2009UFDF
DMN2009USS
DMN2011UFDE
DMN2011UFDF
DMN2011UFX
DMN2011UTS
DMN2012UCA6
DMN2013UFDE
DMN2013UFDEQ
DMN2013UFX
DMN2014LHAB
DMN2015UFDE
DMN2015UFDF
DMN2016LFG
DMN2016LHAB
DMN2016UFX
DMN2016UTS
DMN2019UTS
DMN2020LSN
DMN2020UFCL
DMN2022UFDF
DMN2022UNS
DMN2023UCB4
DMN2024U
