產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的DMN2011UFDE 這款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低導(dǎo)通電阻 (R DS(ON) )，同時(shí)保持卓越的開關(guān)性能，使其成為高效電源管理應(yīng)用的理想選擇。

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌               DIODES
型號(hào)               DMN2011UFDE
名稱               N溝道MOSFET
產(chǎn)地               臺(tái)灣
封裝               U-DFN2020-6

產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 12 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 11.7 A
PD @TA = +25°C (W) 1.97 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 9.5 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 11 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 20 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.4 V
|VGS(TH)| Max (V) 1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 24 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 56 nC
CISS Typ (pF) 2248 pF

主要特征
0.6mm輪廓–適用于低輪廓應(yīng)用
PCB占地面積為4mm2
低柵極閾值電壓
低導(dǎo)通電阻
ESD保護(hù)門

相關(guān)型號(hào)
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