產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的DMN2015UFDF這款新一代 20V N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 旨在最大限度地降低 R DS(on)，同時(shí)保持卓越的開關(guān)性能。該器件非常適合便攜式、電池組和其他電源管理功能。
產(chǎn)品規(guī)格
品牌 DIODES
型號(hào) DMN2015UFDF
名稱 20V N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地 臺(tái)灣
封裝 U-DFN2020-6
產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 12 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 11.6 A
PD @TA = +25°C (W) 1.8 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 9 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 15 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 30 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.4 V
|VGS(TH)| Max (V) 1.2 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 19.3 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 42.3 nC
CISS Typ (pF) 1439 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 10 V
主要特征
0.6 毫米輪廓 – 薄型應(yīng)用的理想選擇
PCB 占地面積為 4mm2
低柵極閾值電壓
低導(dǎo)通電阻
相關(guān)型號(hào)
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