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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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DMN2016UFX 溝道增強型 MOSFET 晶體管

型號: DMN2016UFX

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMN2016UFX
  • 名稱 雙 N 溝道增強模式 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺灣
  • 封裝 V-DFN2050-4

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMN2016UFX 

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMN2016UFX 這種MOSFET被設(shè)計為最小化導通電阻(RDS(ON)),同時保持卓越的切換性能,使其非常適合高效電源管理應(yīng)用。
通用接口交換機
電源管理功能

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌               DIODES
型號               DMN2016UFX
名稱               雙 N 溝道增強模式 MOSFET
產(chǎn)地               臺灣
封裝               V-DFN2050-4

 

產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N+N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 24 V
|VGS| (±V) 12 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 9.9 A
PD @TA = +25°C (W) 2.23 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 15 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 20 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.4 V
|VGS(TH)| Max (V) 1.5 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 14 nC
CISS Typ (pF) 950 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 10 V

 

主要特征
低導通電阻
低輸入電容
開關(guān)速度快
低輸入/輸出泄漏
靜電放電保護


相關(guān)型號
DMN2005UFG
DMN2005UFGQ
DMN2005UPS
DMN2008LFU
DMN2009LSS
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DMN2016LHAB
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DMN2016UTS
DMN2019UTS
DMN2020LSN
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DMN2022UFDF
DMN2022UNS
DMN2023UCB4
DMN2024U
 

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