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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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DMN2024U 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號(hào): DMN2024U

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號(hào) DMN2024U
  • 名稱(chēng) N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺(tái)灣
  • 封裝 SOT23

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMN2024U 

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMN2024U 這種MOSFET被設(shè)計(jì)為最小化導(dǎo)通電阻(RDS(ON))同時(shí)保持卓越的切換性能,使其非常適合高效電源管理應(yīng)用。
背光
電源管理功能
DC-DC轉(zhuǎn)換器
電機(jī)控制

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌               DIODES
型號(hào)               DMN2024U
名稱(chēng)               N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地               臺(tái)灣
封裝               SOT23


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 10 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 6.8 A
PD @TA = +25°C (W) 1.4 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 25 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 29 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 36 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.5 V
|VGS(TH)| Max (V) 0.9 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 7.1 nC
CISS Typ (pF) 647 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 10 V

 

主要特征
低導(dǎo)通電阻
低輸入電容
開(kāi)關(guān)速度快
ESD保護(hù)柵極


相關(guān)型號(hào)
DMN2020UFCL
DMN2022UFDF
DMN2022UNS
DMN2023UCB4
DMN2024U
DMN2024UDH
DMN2024UFDF
DMN2024UFU
DMN2024UFX
DMN2024UQ
DMN2024UTS
DMN2024UVT
DMN2024UVTQ
DMN2025U
DMN2025UFDB
DMN2025UFDF
DMN2026UVT
DMN2027UPS
DMN2027USS
DMN2028UFDF
DMN2028UFDH
DMN2028UFU
DMN2028USS
DMN2028UVT
DMN2029USD
DMN2029UVT
DMN2030UCA4
DMN2036UCB4
DMN2040LTS
DMN2040U
DMN2040UVT
DMN2041LSD
DMN2041UFDB
DMN2041UVT
DMN2044UCB4
DMN2046U
DMN2046UVT
DMN2050L
DMN2050LFDB
DMN2050LQ

 

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