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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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DMN2025U 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號(hào): DMN2025U

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號(hào) DMN2025U
  • 名稱 2N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺(tái)灣
  • 封裝 SOT23

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMN2025U 

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMN2025U 這種MOSFET被設(shè)計(jì)為最小化導(dǎo)通電阻(RDS(ON))同時(shí)保持卓越的切換性能,使其非常適合高效電源管理應(yīng)用。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌               DIODES
型號(hào)               DMN2025U
名稱               2N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地               臺(tái)灣
封裝               SOT23


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 12 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 5.6 A
PD @TA = +25°C (W) 1.3 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 27 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 35 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 65 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.5 V
|VGS(TH)| Max (V) 0.9 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 5.9 nC
CISS Typ (pF) 485 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 10 V

 

主要特征
低導(dǎo)通電阻
低輸入電容
開關(guān)速度快
ESD保護(hù)柵極


相關(guān)型號(hào)
DMN2020UFCL
DMN2022UFDF
DMN2022UNS
DMN2023UCB4
DMN2024U
DMN2024UDH
DMN2024UFDF
DMN2024UFU
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DMN2024UTS
DMN2024UVT
DMN2024UVTQ
DMN2025U
DMN2025UFDB
DMN2025UFDF
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DMN2027USS
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DMN2028UFDH
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DMN2046UVT
DMN2050L
DMN2050LFDB
DMN2050LQ

 

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