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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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DMN2028USS 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號(hào): DMN2028USS

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號(hào) DMN2028USS
  • 名稱 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺(tái)灣
  • 封裝 SO-8

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMN2028USS

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMN2028USS 這種MOSFET被設(shè)計(jì)為使導(dǎo)通電阻最小化(RDS(打開)),同時(shí)保持卓越的切換性能,使其非常適合高效電源管理應(yīng)用。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌               DIODES
型號(hào)               DMN2028USS
名稱               N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地               臺(tái)灣
封裝               SO-8


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 12 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 7.3 A
PD @TA = +25°C (W) 1.56 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 20 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 28 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.6 V
|VGS(TH)| Max (V) 1.3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 11.6 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 28.5 nC
CISS Typ (pF) 1000 pF

 

主要特征
低導(dǎo)通電阻
低輸入電容
快速切換速度
低輸出泄漏


相關(guān)型號(hào)
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