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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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DMN2041UFDB 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號: DMN2041UFDB

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMN2041UFDB
  • 名稱 雙 N 溝道增強(qiáng)模式 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺灣
  • 封裝 U-DFN2020-6

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMN2041UFDB 

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMN2041UFDB 這種MOSFET被設(shè)計(jì)為最小化導(dǎo)通電阻(RDS(ON)),同時保持卓越的切換性能,使其非常適合高效電源管理應(yīng)用。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌               DIODES
型號               DMN2041UFDB
名稱               雙 N 溝道增強(qiáng)模式 MOSFET
產(chǎn)地               臺灣
封裝               U-DFN2020-6


產(chǎn)品參數(shù)

AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N+N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 12 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 4.7 A
PD @TA = +25°C (W) 1.4 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 40 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 65 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.35 V
|VGS(TH)| Max (V) 1.4 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 8 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 15 (@8V) nC
CISS Typ (pF) 713 pF

 

主要特征
低導(dǎo)通電阻
低輸入電容
薄型,最大高度0.6mm


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