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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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DMN2041UVT 溝道增強型 MOSFET 晶體管

型號: DMN2041UVT

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMN2041UVT
  • 名稱 雙 N 溝道增強模式 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺灣
  • 封裝 TSOT26

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMN2041UVT 

產(chǎn)品簡介
DIODES 的DMN2041UVT 這種新一代MOSFET設(shè)計用于最大限度地減少導(dǎo)通狀態(tài)電阻(RDS(ON))同時保持優(yōu)異的開關(guān)性能,使其成為高效電源管理應(yīng)用的理想選擇。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌               DIODES
型號               DMN2041UVT
名稱               雙 N 溝道增強模式 MOSFET
產(chǎn)地               臺灣
封裝               TSOT26


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N+N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 8 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 5.8 A
PD @TA = +25°C (W) 1.1 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 28 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 32 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 40 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.4 V
|VGS(TH)| Max (V) 0.9 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 9.1 nC
CISS Typ (pF) 689 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 10 V

 

主要特征
低導(dǎo)通電阻
低輸入電容
開關(guān)速度快
低輸入/輸出泄漏


相關(guān)型號
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DMN2022UFDF
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