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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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DMN2046UVT 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號: DMN2046UVT

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMN2046UVT
  • 名稱 雙 N 溝道增強(qiáng)模式 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺灣
  • 封裝 TSOT26

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMN2046UVT

產(chǎn)品簡介
DIODES 的DMN2046UVT 這種新一代MOSFET的設(shè)計目的是最大限度地降低現(xiàn)場電阻(RDS(ON)),同時保持卓越的開關(guān)性能性能,使其成為高效電源管理的理想選擇應(yīng)用程序。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌               DIODES
型號               DMN2046UVT
名稱               雙 N 溝道增強(qiáng)模式 MOSFET
產(chǎn)地               臺灣
封裝               TSOT26


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N+N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 12 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 2.6 A
PD @TA = +25°C (W) 0.59 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 90 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 130 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.4 V
|VGS(TH)| Max (V) 1.4 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 3.6 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 7.4 nC
CISS Typ (pF) 278 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 10 V

 

主要特征
低導(dǎo)通電阻
低輸入電容
開關(guān)速度快
低輸入/輸出泄漏
ESD保護(hù)柵極


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