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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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DMN2053U 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號(hào): DMN2053U

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號(hào) DMN2053U
  • 名稱 雙 N 溝道增強(qiáng)模式 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺(tái)灣
  • 封裝 SOT23

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMN2053U 

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMN2053U 這種新一代MOSFET設(shè)計(jì)用于最大限度地減少導(dǎo)通狀態(tài)電阻(RDS(ON))并且仍然保持優(yōu)異的開關(guān)性能,使其成為高效電源管理應(yīng)用的理想選擇。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌               DIODES
型號(hào)               DMN2053U
名稱               雙 N 溝道增強(qiáng)模式 MOSFET
產(chǎn)地               臺(tái)灣
封裝               SOT23

 

產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 12 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 6.5 A
PD @TA = +25°C (W) 1.3 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 29 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 35 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 48 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 91 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.5 V
|VGS(TH)| Max (V) 1.2 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 4.6 nC
CISS Typ (pF) 414 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 10 V

 

主要特征
低導(dǎo)通電阻
低輸入電容
快速切換速度
低輸入/輸出泄漏


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