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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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DMN2053UFDB 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號(hào): DMN2053UFDB

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號(hào) DMN2053UFDB
  • 名稱 雙 N 溝道增強(qiáng)模式 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺(tái)灣
  • 封裝 U-DFN2020-6 (Type B)

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMN2053UFDB 

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMN2053UFDB 這種MOSFET被設(shè)計(jì)為最小化導(dǎo)通電阻(RDS(ON))同時(shí)保持卓越的切換性能,這使得它是高效電源管理應(yīng)用的理想選擇。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌               DIODES
型號(hào)               DMN2053UFDB
名稱               雙 N 溝道增強(qiáng)模式 MOSFET
產(chǎn)地               臺(tái)灣
封裝               U-DFN2020-6 (Type B)

 

產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N+N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 12 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 4.6 A
PD @TA = +25°C (W) 1.1 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 35 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 43 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 56 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 3.6 nC

 

主要特征
PCB 占地面積 4mm 2
低導(dǎo)通電阻
低輸入電容
薄型,最大高度 0.6mm


相關(guān)型號(hào)
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