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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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DMN2320UFB4 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號(hào): DMN2320UFB4

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號(hào) DMN2320UFB4
  • 名稱 N溝道MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺(tái)灣
  • 封裝 X2-DFN1006-3

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMN2320UFB4 

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMN2320UFB4 這種MOSFET被設(shè)計(jì)為最小化導(dǎo)通電阻(RDS(打開)),同時(shí)保持卓越的切換性能,使其非常適合高效電源管理應(yīng)用。


產(chǎn)品規(guī)格 
品牌               DIODES
型號(hào)               DMN2320UFB4
名稱               N溝道MOSFET
產(chǎn)地               臺(tái)灣
封裝               X2-DFN1006-3


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 8 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 1 A
PD @TA = +25°C (W) 1.07 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 320 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 500 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 1000 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 0.95 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 0.89 nC
CISS Typ (pF) 71 pF

 

主要特征
占地面積僅為0.6mm2
比SOT23小13倍
0.4mm剖面–非常適合低剖面應(yīng)用
低柵極閾值電壓
切換速度快


相關(guān)型號(hào)
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