產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMN2501UFB4 這款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低導通電阻 (R DS(on))，同時保持卓越的開關性能，使其成為高效電源管理應用的理想選擇。

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌               DIODES
型號               DMN2501UFB4
名稱               N溝道MOSFET
產(chǎn)地               臺灣
封裝               X2-DFN1006-3

產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 8 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 1.5 A
PD @TA = +25°C (W) 1.2 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 400 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 500 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 700 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.5 V
|VGS(TH)| Max (V) 1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 1.1 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 2 nC
CISS Typ (pF) 88 pF

主要特征
低導通電阻
極低柵極閾值電壓VGS（TH），最大1.0V。
低輸入電容
快速切換速度
超小型表面安裝組件
超低封裝外形，最大封裝高度0.4mm
ESD保護門

相關型號
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