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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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DMN2550UFA 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號(hào): DMN2550UFA

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號(hào) DMN2550UFA
  • 名稱 N溝道MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺(tái)灣
  • 封裝 X2-DFN0806-3

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMN2550UFA 

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMN2550UFA 這種MOSFET被設(shè)計(jì)為最小化導(dǎo)通電阻(RDS(ON)),同時(shí)保持卓越的切換性能,使其非常適合高效電源管理應(yīng)用。


產(chǎn)品規(guī)格 
品牌               DIODES
型號(hào)               DMN2550UFA
名稱               N溝道MOSFET
產(chǎn)地               臺(tái)灣
封裝               X2-DFN0806-3


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 8 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 0.6 A
PD @TA = +25°C (W) 0.36 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 450 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 550 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 750 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.4 V
|VGS(TH)| Max (V) 1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 0.88 nC
CISS Typ (pF) 54 pF

 

主要特征
低封裝外形,最大封裝高度0.4mm
0.48平方米封裝占地面積,比SOT23小16倍
低導(dǎo)通電阻
極低柵極閾值電壓,最大1.0V
ESD保護(hù)門


相關(guān)型號(hào)
DMN2501UFB4
DMN2550UFA
DMN25D0UFA
DMN2600UFB
DMN26D0UT
DMN2710UDW
DMN2710UDWQ
DMN2710UFB
DMN2710UFBQ
DMN2710UT
DMN2710UTQ
DMN2710UV
DMN2710UVQ
DMN2710UW
DMN2710UWQ
DMN2990UDJ
DMN2990UDJQ
DMN2990UFA
DMN2990UFB
DMN2990UFO
DMN2990UFZ
DMN2991UDA
DMN2991UDJ
DMN2991UDR4
DMN2991UFB4
DMN2991UFB4Q
DMN2991UFO
DMN2991UFZ
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DMN2991UTQ
DMN2992UFB4
DMN2992UFB4Q

 

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