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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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DMN2710UFB 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號(hào): DMN2710UFB

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號(hào) DMN2710UFB
  • 名稱 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺(tái)灣
  • 封裝 X1-DFN1006-3

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMN2710UFB 

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMN2710UFB 這種MOSFET被設(shè)計(jì)為最小化導(dǎo)通狀態(tài)電阻(RDS(ON))同時(shí)保持優(yōu)異的開(kāi)關(guān)性能,這使其成為高效電源管理的理想選擇應(yīng)用程序。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌               DIODES
型號(hào)               DMN2710UFB
名稱               N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地               臺(tái)灣
封裝               X1-DFN1006-3


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 6 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 1.3 A
PD @TA = +25°C (W) 1.3 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 450 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 600 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 750 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.5 V
|VGS(TH)| Max (V) 1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 0.6 nC
CISS Typ (pF) 42 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 16 V

 

主要特征
占位面積僅為 0.6mm 2 —比 SOT23 小 13 倍
低柵極閾值電壓
開(kāi)關(guān)速度快
ESD保護(hù)柵極


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