產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMN2990UDJQ 這種MOSFET被設(shè)計(jì)為最小化導(dǎo)通電阻（RDS（ON）），同時(shí)保持卓越的切換性能，使其非常適合高效電源管理應(yīng)用。

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌               DIODES
型號(hào)               DMN2990UDJQ
名稱               雙 N 溝道增強(qiáng)模式 MOSFET
產(chǎn)地               臺(tái)灣
封裝               SOT963

產(chǎn)品參數(shù)

AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Automotive
Polarity N+N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 8 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 0.45 A
PD @TA = +25°C (W) 0.35 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 990 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 1200 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 1800 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.4 V
|VGS(TH)| Max (V) 1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 0.5 nC
CISS Typ (pF) 27.6 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 16 V

主要特征
雙 N 溝道 MOSFET
低導(dǎo)通電阻
極低的柵極閾值電壓，最大值 1.0V
低輸入電容
開關(guān)速度快
超小型表面貼裝封裝 1mm x 1mm
低封裝外形，最大封裝高度 0.45mm

相關(guān)型號(hào)
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