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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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DMN2991UFB4Q 20V N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號: DMN2991UFB4Q

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMN2991UFB4Q
  • 名稱 20V N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺灣
  • 封裝 X2-DFN1006-3

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMN2991UFB4Q 

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMN2991UFB4Q 這種MOSFET被設(shè)計(jì)為最小化導(dǎo)通電阻(RDS(ON))同時保持卓越的切換性能,使其成為理想之選用于高效電源管理應(yīng)用。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌               DIODES
型號               DMN2991UFB4Q
名稱               20V N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地               臺灣
封裝               X2-DFN1006-3


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Automotive
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 8 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 0.5 A
PD @TA = +25°C (W) 0.36 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 990 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 1200 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 1800 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.4 V
|VGS(TH)| Max (V) 1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 0.28 nC
CISS Typ (pF) 14.6 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 16 V

 

主要特征
占位面積僅為 0.6mm 2 – 比 SOT23 小十三倍
4 毫米輪廓 – 薄型應(yīng)用的理想選擇
低柵極閾值電壓
開關(guān)速度快

 

相關(guān)型號
DMN2501UFB4
DMN2550UFA
DMN25D0UFA
DMN2600UFB
DMN26D0UT
DMN2710UDW
DMN2710UDWQ
DMN2710UFB
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DMN2710UT
DMN2710UTQ
DMN2710UV
DMN2710UVQ
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DMN2991UFO
DMN2991UFZ
DMN2991UFZQ
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DMN2991UTQ
DMN2992UFB4
DMN2992UFB4Q
 

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