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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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DMN3016LFDE N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號(hào): DMN3016LFDE

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號(hào) DMN3016LFDE
  • 名稱 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺(tái)灣
  • 封裝 U-DFN2020-6

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMN3016LFDE  

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMN3016LFDE 這種MOSFET被設(shè)計(jì)為最小化導(dǎo)通電阻(RDS(ON)),同時(shí)保持卓越的切換性能,使其非常適合高效電源管理應(yīng)用。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌                DIODES
型號(hào)                DMN3016LFDE
名稱                N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地                臺(tái)灣
封裝                U-DFN2020-6

 

產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 10 A
PD @TA = +25°C (W) 2.02 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 12 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 16 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 2 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 11.3 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 25.1 nC
CISS Typ (pF) 1415 pF

 

主要特征
0.6mm輪廓–適用于低輪廓應(yīng)用
PCB占地面積4mm2
低柵極閾值電壓
低導(dǎo)通電阻

 

相關(guān)型號(hào)
DMN2992UFB4Q
DMN29M9UFDF
DMN3006SCA6
DMN3007LSS
DMN3008SCP10
DMN3008SFG
DMN3008SFGQ
DMN3009SFG
DMN3009SFGQ
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DMN3010LSS
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DMN3012LFG
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DMN3016LFDF
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DMN3016LK3
DMN3016LPS
DMN3016LSS
DMN3018SFG
DMN3018SSD
DMN3018SSS
DMN3020UFDF
DMN3020UFDFQ
DMN3020UTS
DMN3021LFDF
DMN3022LDG
DMN3022LFG

 

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