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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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DMN3032LFDB 雙N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號(hào): DMN3032LFDB

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號(hào) DMN3032LFDB
  • 名稱(chēng) 雙N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺(tái)灣
  • 封裝 U-DFN2020-6

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMN3032LFDB  

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMN3032LFDB 這種MOSFET被設(shè)計(jì)為最小化導(dǎo)通電阻(RDS(ON)),同時(shí)保持卓越的切換性能,使其非常適合高效電源管理應(yīng)用。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌                DIODES
型號(hào)                DMN3032LFDB
名稱(chēng)                雙N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地                臺(tái)灣
封裝                 U-DFN2020-6


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N+N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 6.2 A
PD @TA = +25°C (W) 1.7 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 30 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 42 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 2 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 5 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 10.6 nC
CISS Typ (pF) 500 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 15 V

 

主要特征
低導(dǎo)通電阻
低輸入電容
開(kāi)關(guān)速度快
低輸入/輸出泄漏

 

相關(guān)型號(hào)
DMN3023L
DMN3024LK3
DMN3024SFG
DMN3025LFDF
DMN3025LFG
DMN3025LFV
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DMN3028L
DMN3028LQ
DMN3029LFG
DMN3030LSS
DMN3032LE
DMN3032LFDB
DMN3032LFDBQ
DMN3032LFDBWQ
DMN3033LDM
DMN3033LSD
DMN3033LSDQ
DMN3033LSN
DMN3033LSNQ
DMN3035LWN

 

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