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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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DMN3071LFR4 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號(hào): DMN3071LFR4

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號(hào) DMN3071LFR4
  • 名稱 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺(tái)灣
  • 封裝 X2-DFN1010-3

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMN3071LFR4  

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMN3071LFR4 這種新一代MOSFET的設(shè)計(jì)目的是最大限度地降低狀態(tài)電(RDS(ON)),同時(shí)保持卓越的開(kāi)關(guān)性能,是高效電源管理的理想選擇應(yīng)用程序。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌                DIODES
型號(hào)                DMN3071LFR4
名稱                N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地                臺(tái)灣
封裝                X2-DFN1010-3

 

產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 3.4 A
PD @TA = +25°C (W) 1.1 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 65 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 75 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 2.5 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 2.1 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 4.5 nC
CISS Typ (pF) 190 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 15 V

 

主要特征
低導(dǎo)通電阻
低輸入/輸出泄漏
開(kāi)關(guān)速度快

 

相關(guān)型號(hào)
DMN3042LFDF
DMN3051L
DMN3051LDM
DMN3053L
DMN3055LFDB
DMN3055LFDBQ
DMN3060LCA3
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DMN3061LCA3
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DMN3061SQ
DMN3061SVT
DMN3061SVTQ
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DMN3061SWQ
DMN3065LW
DMN3066L
DMN3066LQ
DMN3067LW
DMN3069L
DMN3070SSN
DMN3071LFR4
DMN30H14DLY
DMN30H4D0L
DMN30H4D0LFDE

 

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