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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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DMN30H4D0L N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號: DMN30H4D0L

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMN30H4D0L
  • 名稱 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺灣
  • 封裝 SOT23

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMN30H4D0L  

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMN30H4D0L 這種新一代MOSFET的設(shè)計目的是將導(dǎo)通電阻(RDS(on)),同時保持卓越的切換性能,是高效電源管理的理想選擇應(yīng)用程序。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌                DIODES
型號                DMN30H4D0L
名稱                N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地                臺灣
封裝                SOT23

 

產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 300 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 0.25 A
PD @TA = +25°C (W) 0.47 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 4000 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 4000 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 3 V
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 7.6 nC
CISS Typ (pF) 187.3 pF

 

主要特征
低柵極閾值電壓
低輸入電容
快速切換速度
小型表面安裝封裝

 

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