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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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DMN31D5UFZ N 溝道增強型 MOSFET 晶體管

型號: DMN31D5UFZ

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMN31D5UFZ
  • 名稱 N 溝道增強型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺灣
  • 封裝 X2-DFN0606-3

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMN31D5UFZ  

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMN31D5UFZ 這種MOSFET被設(shè)計為最小化導(dǎo)通電阻(RDS(ON)),同時保持卓越的切換性能,使其非常適合高效電源管理應(yīng)用。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌                DIODES
型號                DMN31D5UFZ
名稱                N 溝道增強型 MOSFET
產(chǎn)地                臺灣
封裝                X2-DFN0606-3

 

產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 12 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 0.22 A
PD @TA = +25°C (W) 0.39 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 1500 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 2000 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 3000 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 0.35 nC
CISS Typ (pF) 22.2 pF

 

主要特征
低封裝外形,最大封裝高度0.42mm
0.62mm x 0.62mm封裝外形
低導(dǎo)通電阻
極低柵極閾值電壓,最大1.0V
ESD保護門

 

相關(guān)型號
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DMN32D0LV
DMN32D0LVQ
DMN32D2LDF
DMN32D2LFB4
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DMN3300UQ
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