產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMN32D0LV 這種MOSFET被設(shè)計(jì)為最小化導(dǎo)通電阻（RDS（ON）），同時(shí)保持卓越的切換性能，使其非常適合高效電源管理應(yīng)用。

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌                DIODES
型號(hào)                DMN32D0LV
名稱                雙N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地                臺(tái)灣
封裝                SOT563

產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N+N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 10 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 0.68 A
PD @TA = +25°C (W) 0.48 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 1200 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 1500 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 2200 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.6 V
|VGS(TH)| Max (V) 1.2 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 0.62 nC
CISS Typ (pF) 44.8 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 15 V

主要特征
雙 N 溝道 MOSFET
低導(dǎo)通電阻
極低的柵極閾值電壓
低輸入電容
開關(guān)速度快
低輸入/輸出泄漏
超小型表面貼裝封裝

相關(guān)型號(hào)
DMN31D4UFZ
DMN31D5L
DMN31D5UDA
DMN31D5UDAQ
DMN31D5UDJ
DMN31D5UFO
DMN31D5UFZ
DMN31D5UFZQ
DMN31D6UT
DMN3200U
DMN3270UVT
DMN32D0LFB4
DMN32D0LV
DMN32D0LVQ
DMN32D2LDF
DMN32D2LFB4
DMN32D4SDW
DMN3300U
DMN3300UQ
DMN33D8L
DMN33D8LDW
DMN33D8LDWQ
DMN33D8LT
DMN33D8LTQ
DMN33D8LV
DMN33D8LVQ
DMN33D9LV
DMN3401LDW
DMN3401LDWQ
DMN3401LV
DMN3401LVQ
DMN3404L