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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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DMN32D4SDW 雙N 溝道增強型 MOSFET 晶體管

型號: DMN32D4SDW

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMN32D4SDW
  • 名稱 雙N 溝道增強型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺灣
  • 封裝 SOT363

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMN32D4SDW  

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMN32D4SDW 這種MOSFET被設(shè)計為最小化導(dǎo)通電阻(RDS(ON)),同時保持卓越的切換性能,使其高效電源管理應(yīng)用的理想選擇。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌                DIODES
型號                DMN32D4SDW
名稱                雙N 溝道增強型 MOSFET
產(chǎn)地                臺灣
封裝                SOT363

 

產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N+N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 0.65 A
PD @TA = +25°C (W) 0.35 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 400 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 700 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 1.6 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 0.6 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 1.3 nC
CISS Typ (pF) 50 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 15 V

 

主要特征
低導(dǎo)通電阻
低輸入電容
開關(guān)速度快
ESD保護柵極

 

相關(guān)型號
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DMN31D5L
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DMN31D5UDJ
DMN31D5UFO
DMN31D5UFZ
DMN31D5UFZQ
DMN31D6UT
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DMN3270UVT
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DMN32D0LV
DMN32D0LVQ
DMN32D2LDF
DMN32D2LFB4
DMN32D4SDW
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DMN3300UQ
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DMN33D8LV
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